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一类铬铥共掺杂蓝紫光转窄谱近红外荧光材料及其制备与应用.pdfVIP

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  • 2023-06-03 发布于四川
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一类铬铥共掺杂蓝紫光转窄谱近红外荧光材料及其制备与应用.pdf

    本发明公开了一类铬铥共掺杂蓝紫光转窄谱近红外荧光材料及其制备与应用。所述荧光材料化学通式为ATiO3:Crx,Tmy，A指Ca、Sr、Na、Y、Gd、Ga、Sn等元素中的至少一种。该荧光材料通过高温煅烧法合成，在蓝紫光或紫光LED芯片激发条件下，可以发射峰值约为800nm，半高峰宽小于40nm的窄谱近红外荧光，可以被用于制备窄谱近红外LED光源。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115772403 A (43)申请公布日 2023.03.10 (21)申请号 202211578090.3 (22)申请日 2022.12.06 (71)申请人 广州医科大学

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