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本公开提供了一种功率MOSFET及其制造方法和电子设备，功率MOSFET包括：硅衬底以及硅衬底上的硅外延层；多个沟槽，间隔排列且形成在硅外延层内；多个源极多晶硅，形成在多个沟槽下部内且被场氧层包围；多个栅极多晶硅，形成在多个沟槽上部内且通过高密度二氧化硅与源极多晶硅间隔开；栅极多晶硅四周环绕有栅极氧化层；多个介质氧化层，形成在栅极多晶硅上方，并且在横向方向上越过沟槽边界并生长到相邻的部分硅外延层中；多个第一体区，间隔排列且位于多个沟槽之间；多个源区，位于多个第一体区上方；多个接触孔，多个接触孔从
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112635567 A
(43)申请公布日 2021.04.09
(21)申请号 202011594169.6
(22)申请日 2020.12.29
(71)申请人 上海昱率科技有限公司
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