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本公开的一些实施例提供一种电子装置和其制造方法。所述电子装置包括：衬底、晶体管和掺杂阱。所述衬底，其具有第一区域以及不同于所述第一区域的第二区域。所述晶体管安置在所述衬底的所述第一区域上。所述晶体管包括：第一氮化物半导体层，其安置在所述衬底上；以及第二氮化物半导体层，其安置在所述第一氮化物半导体层上且具有比所述第一氮化物半导体层的带隙更大的带隙。述掺杂阱位于所述第二区域中。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112689895 A
(43)申请公布日 2021.04.20
(21)申请号 202080003249.1 H01L 29/778 (2006.01)
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