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2023-06-04 发布于四川
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一种磷化铟半导体材料的合成方法.pdf

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本发明提供一种磷化铟半导体材料的合成方法，具体涉及光电集成芯片和高速电子器件领域，S1、将纯铟块体熔化，并采用保护性气体与磷颗粒的混合物通过雾化喷嘴喷吹铟熔液，将铟熔液雾化成粉末，形成复合颗粒。S2、将上述过程制备出的磷‑铟复合颗粒装入在透明的石英玻璃容器中，石英容器中抽真空或通入保护气体，使磷‑铟复合颗粒平铺在石英容器中或发生不断的运动；S3、用激光透过石英容器扫描磷‑铟复合颗粒，通过控制激光功率和扫描速率，使磷‑铟复合颗粒不断依次发生瞬时反应合成磷化铟；保持激光扫描使石英容器中的磷铟复合颗粒

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112680790 A (43)申请公布日 2021.04.20 (21)申请号 202011419354.1 (22)申请日 2020.12.07 (71)申请人宁波建锡新材料有限公司

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