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描述切割半导体晶片的方法，各晶片具有多个集成电路。在实例中，切割具有多个集成电路的半导体晶片的方法包含于半导体晶片上方形成掩模，所述掩模包括覆盖并保护集成电路的层。以激光刻划工艺图案化掩模，以提供具有间隙的经图案化的掩模，从而暴露介于集成电路间的半导体晶片的区域。在图案化掩模之后进行穿透处理，穿透处理包含第一物理轰击操作、第二反复的各向同性及定向等离子体蚀刻操作及第三定向穿透操作。在进行穿透处理之后，穿过经图案化的掩模中的间隙等离子体蚀刻半导体晶片，以分割集成电路。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112689892 A
(43)申请公布日 2021.04.20
(21)申请号 201980059540.8 (74)专利代理机构 北京律诚同业知识产权代理
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