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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

半导体结构及其形成方法.pdf

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    一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底和位于衬底上的鳍部，与鳍部的延伸方向相垂直的方向为横向；在衬底上形成覆盖部分鳍部侧壁的隔离材料层，隔离材料层露出的鳍部为顶鳍部；在顶鳍部的侧壁上形成保护层；去除部分厚度的隔离材料层，形成隔离层，隔离层覆盖的鳍部为底鳍部；沿横向对保护层和隔离层露出的鳍部侧壁进行减薄处理，形成颈鳍部；形成栅极结构，栅极结构覆盖顶鳍部和颈鳍部的部分顶壁和部分侧壁。本发明实施例，减薄处理得到的颈鳍部的横向尺寸较小，栅极结构底部覆盖的颈鳍部，从而栅极结构底部

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112670179 A (43)申请公布日 2021.04.16 (21)申请号 20191

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