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本公开是关于一种高电压晶体管结构与其制作方法，描述了一种用于形成(i)具有多晶硅栅极电极和氧化硅栅极介电质整合的输入/输出(I/O)鳍式场效应晶体管以及(ii)具有金属栅极电极和高介电常数栅极介电质的非输入/输出场效应晶体管的方法。此方法包括在半导体基板的第一区域上沉积氧化硅层以及在半导体基板的第二区域上沉积高介电常数介电层；在氧化硅和高介电常数介电层上沉积多晶硅层；图案化多晶硅层，以在氧化硅层上形成第一多晶硅栅极电极结构，并在高介电常数介电层上形成第二多晶硅栅极电极结构，其中第一多晶硅栅极电极
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112687684 A
(43)申请公布日 2021.04.20
(21)申请号 202011094471.5
(22)申请日 2020.10.14
(30)优先权数据
16/657,39
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