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一种半导体薄膜结构以及包括其的电子器件,该半导体薄膜结构可以包括衬底、在衬底上的缓冲层以及在缓冲层上的半导体层,使得缓冲层在半导体层和衬底之间。缓冲层可以包括多个单元层。所述多个单元层中的每个单元层可以包括具有第一带隙能量和第一厚度的第一层、具有第二带隙能量和第二厚度的第二层以及具有第三带隙能量和第三厚度的第三层。单元层的第一层、第二层和第三层中的具有最低的带隙能量的一个层可以在该单元层的第一层、第二层和第三层中的另外两个层之间。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112687732 A
(43)申请公布日
2021.04.20
(21)申请号 20201
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