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2023-06-04 发布于四川
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一种紫外光电器件及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种紫外光电器件及其制备方法，制备方法包括：采用沉积方法在大倾角蓝宝石衬底上沉积200nm‑4μm的AlN材料；将AlN材料放置于高温热退火炉中进行高温热退火处理，在完成高温热退火后，将蓝宝石衬底放置于MOCVD设备中生长紫外光电器件结构，其中，紫外光电器件结构包括但不限于紫外LED结构和紫外光电探测器结构。本发明实施例通过采用大倾角蓝宝石衬底进行外延生长后高温热退火得到锯齿状宏台阶，锯齿状宏台阶能够将注入到量子阱中的载流子限制在宏台阶褶皱处，从而能够避免遇上位错发生而非辐射复合，进

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112670383 A (43)申请公布日 2021.04.16 (21)申请号 202011567039.3 H01L 31/0304 (2006.01)

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