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半导体器件及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-04 发布于四川
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半导体器件及其制备方法.pdf

    本发明提供了一种半导体器件，包括：衬底，设置于衬底上方且由绝缘层和栅极层交替层叠而成的堆叠层，且包括第一堆叠层以及第二堆叠层，第二堆叠层设置于第一堆叠层上方，贯穿第一堆叠层的至少一个隔离结构，以及贯穿第二堆叠层以及隔离结构的过渡沟道柱结构，且同一过渡沟道柱结构中的过渡沟道柱分别贯穿第二堆叠层以及同一隔离结构，本发明提供的半导体器件，通过在过渡沟道柱的外侧设置隔离结构以对过渡沟道柱进行保护，有效地防止了由于过渡沟道柱的半径过大，导致在进行深孔的蚀刻时，过渡沟道柱的功能侧壁以及半导体器件的字线受到损

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112701123 B (45)授权公告日 2022.05.10 (21)申请号 202011564642.6 H01L 27/11582 (2017.01) (22)申请日 2020

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