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2023-06-04 发布于四川
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本申请涉及一种快恢复二极管及其制作方法，属于半导体器件技术领域。本申请提供了一种快恢复二极管，包括第一导电类型的衬底；第二导电类型的阳极区，位于衬底上方；其中，阳极区内嵌设有第一导电类型的掺杂区；位于阳极区上方的阳极金属层；位于衬底下方的第一导电类型的阴极区；以及，位于阴极区下方的阴极金属层由于在第二导电类型的阳极区内部引入第一导电类型的掺杂区，因此，不影响阳极区表面与金属之间的接触，在快恢复二极管导通时第一导电类型的掺杂区能够抑制阳极区的空穴注入效率；在快恢复二极管关断时第一导电类型的掺杂区能

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112687749 A (43)申请公布日 2021.04.20 (21)申请号 202011471302.9 (22)申请日 2020.12.14 (71)申请人株洲中车时代半导体有限公司

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