一种特殊形貌二维硫化钼晶体材料的制备方法.pdfVIP

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2023-06-04 发布于四川
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一种特殊形貌二维硫化钼晶体材料的制备方法.pdf

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本发明公开一种特殊形貌二维硫化钼晶体材料的制备方法。所述不同特殊形貌MoS2晶体材料的制备方法为：采用化学气相沉积法，以Si/SiO2为衬底，纳米级MoO3粉末为Mo源，衬底倒扣在粉末上方构建狭小的限域空间，与硫蒸气反应，在衬底上制备得到了不同特殊形貌的MoS2晶体材料，即梯形、平行四边形、不规则平行四边形。所得不同形貌MoS2晶体材料，可作为晶体管的沟道材料应用于超薄电子器件领域。本发明所述制备方法选用衬底与材料源之间构建狭小的限域空间，成功实现不同特殊形貌二维MoS2晶体材料的生长，从而有助

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112663139 B (45)授权公告日 2022.05.03 (21)申请号 202011209596.8 C30B 29/46 (2006.

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