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本发明公开了一种AlInGaN紫外发光二极管的制备方法。首先在蓝宝石衬底上制备纳米图形衬底，衬底边缘有刻蚀圈，在以上图形衬底上低温生长一层AlN薄层，随后提高生长温度，采用低V/III、高温、低压、快速生长模式生长非掺杂的AlInGaN层，快速覆盖纳米图形。然后依次生长N型AlInGaN接触层，AlInGaN量子阱，AlInGaN电子阻挡层，最后生长P型AlInGaN接触层。因为AlN薄膜和纳米图形衬底之间形成生长的纳孔洞空洞，这些空洞会形成很好的紫外光反射粗糙面，形成高效紫外出光。纳米图形衬底
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112687772 B
(45)授权公告日 2022.04.22
(21)申请号 202011558591.6 H01L 33/06 (2010.01)
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