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2023-06-04 发布于四川
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半导体元件的制作方法.pdf

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本发明涉及一种半导体元件的制作方法。该方法包括：在衬底基板上形成刻蚀停止层；在形成刻蚀停止层的衬底基板上形成多个第一条状图形；在形成第一条状图形的衬底基板上形成多个第二条状图形，其中第一条状图形与第二条状图形交叠；以第二条状图形为掩膜板，对第一条状图形进行刻蚀，并移除第二条状图形，形成多个节点接触区图案；在形成节点接触区图案的衬底基板上形成掩膜层，掩膜层的顶面与节点接触区图案500的顶面齐平，且覆盖节点接触区图案500之间的刻蚀停止层200；移除节点接触区图案，以掩膜层为掩膜板，对刻蚀停止层进行

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112670245 B (45)授权公告日 2022.07.05 (21)申请号 201910978377.7 审查员贾翠乐 (22)申请日 2019.10.15

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