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2023-06-04 发布于四川
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一种改善半导体激光器掺杂均匀性的方法.pdf

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本发明公开了一种改善半导体激光器掺杂均匀性的方法，包括：将衬底置于外延生长设备的基座上，衬底朝向基座表面的边缘和基座朝向衬底的表面不接触；在衬底背离基座的表面依次生长n型外延层、有源层和p型外延层，生长p型外延层时所需的生长条件敏感掺杂源从外延生长设备的两个气路或三个气路通入，两个气路或三个气路垂直设置。通过实施本发明，改变衬底和基座的接触性，使得衬底边缘和基座边缘的接触性变差，可以有效调节衬底表面的温度均匀性，从而可以减小温度对掺杂源掺杂不均匀的影响；并且，采用两路或三路同时通入生长条件敏感掺

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112670826 A (43)申请公布日 2021.04.16 (21)申请号 202011556867.7 C23C 16/30 (2006.01)

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