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本发明提供了一种N极性AlGaN/GaNHEMT器件及其生长方法，其中，N极性AlGaN/GaNHEMT器件的外延结构，从下至上依次包括硅衬底层、缓冲层、极性面转换层、耐压层、势垒层及沟道层，其中，极性面转换层为掺杂Mg的GaN层，掺杂浓度为1E20/cm3～1E21/cm3。其在缓冲层和耐压层之间添加一层极性面转换层，以此将耐压层及以上的沟道层和势垒层的极性从镓极性转变为氮极性，实现N极性AlGaN/GaNHEMT器件外延结构的制备，结构简单易实现，且具备低接触电阻和强栅控能力。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112687738 A
(43)申请公布日 2021.04.20
(21)申请号 202011548221.4
(22)申请日 2020.12.24
(71)申请人 晶能光电（江西）有限公司
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