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一种非晶锗硅薄膜结构、集成结构以及制造方法.pdfVIP

一种非晶锗硅薄膜结构、集成结构以及制造方法.pdf

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    本发明公开了一种非晶锗硅薄膜结构、集成结构以及制造方法，其中，非晶锗硅薄膜结构，包括：U型非晶锗硅薄膜结构，在该U型非晶锗硅薄膜结构的下方、外侧和内侧均设置有高阻非晶硅层。在本发明的中，采用了U型的嵌套结构，通过将大部分的非晶锗硅薄膜层用高阻非晶硅层覆盖住，从而避免受到接触膜层、相关工艺的影响，实现高质量的产品特性。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112687522 A (43)申请公布日 2021.04.20 (21)申请号 202011551208.4 (22)申请日 2020.12.24 (71)申请人 上海集成电路研发中心有限公司

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