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三维半导体存储器装置及其制造方法.pdfVIP

三维半导体存储器装置及其制造方法.pdf

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    公开了半导体存储器装置及其制造方法。一种半导体存储器装置包括：堆叠结构，其包括交替地堆叠在衬底上的多个电极和多个介电层；竖直沟道结构，其穿透堆叠结构；以及导电焊盘，其位于竖直沟道结构上。竖直沟道结构包括半导体图案和在半导体图案与电极之间的竖直介电图案。半导体图案的上部包括包含卤素元素的杂质区。半导体图案的上部与导电焊盘相邻。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112670293 A (43)申请公布日 2021.04.16 (21)申请号 202011024561.7 (22)申请日 2020.09.25 (30)优先权数据 10-2019-0

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