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本发明公开了一种氧化铈颗粒在抛光工艺中的应用。所述氧化铈颗粒在抛光工艺中作为抛光浆料的抛光粒子；所述氧化铈颗粒的前驱体材料的第一颗粒尺寸为200‑500μm；所述氧化铈颗粒的拉曼光谱包含在458cm‑1处的峰和583cm‑1处的峰，且其中在458cm‑1处的峰的强度与在583cm‑1处的峰的强度的比率为峰比率，所述氧化铈颗粒的峰比率为70‑90。本发明通过控制氧化铈颗粒的颗粒峰比率、氧化铈颗粒的前驱体材料的颗粒尺寸在一定范围内，使得应用于STI的CMP制程时，具有优良的移除速率和选择性，且具有不
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112680115 A
(43)申请公布日 2021.04.20
(21)申请号 202110004107.3
(22)申请日 2021.01.04
(71)申请人 上海晖研材料科技有限公司
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