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本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种硅片背封的制作方法。所述硅片背封的制作方法包括以下步骤：确定硅片的晶向；确定支撑脚支撑所述硅片的支撑方向；根据所述硅片的晶向，确定所述硅片的(110)晶面；旋转所述硅片，使得所述支撑脚的支撑方向，偏离所述硅片的(110)晶面和晶向；在旋转后的所述硅片背面生长外延层，形成所述硅片背封。本申请提供的硅片背封的制作方法，可以解决相关技术中，在晶片背面制作的背封，其产生的应力增大了晶片的破片概率的问题。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112670162 A
(43)申请公布日 2021.04.16
(21)申请号 202011540641.8
(22)申请日 2020.12.23
(71)申请人 华虹半导体（无锡）有限公司
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