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一种半导体布置及其形成方法，半导体布置包括穿过半导电层及在基板之上的第一介电层的第一介电特征。半导体布置包括穿过半导电层及第一介电层且电耦接至基板的导电特征。导电特征与第一介电特征相邻且通过第一介电特征与半导电层电隔离。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112687660 A
(43)申请公布日 2021.04.20
(21)申请号 202011094327.1
(22)申请日 2020.10.14
(30)优先权数据
16/656,98
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