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双极性晶体管及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-06-04 发布于四川
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双极性晶体管及其制造方法.pdf

    本公开的示例实施例提供了一种双极性晶体管及其制造方法。双极性晶体管包括：第一类型阱；第二类型阱，与第一类型阱相邻；第一浅沟槽隔离区，由压应力为负值的绝缘材料构成，位于第二类型阱中并且从衬底的表面向内延伸预定深度；第二浅沟槽隔离区，由压应力为负值的绝缘材料构成，位于第一类型阱和第二类型阱之间并且从衬底的表面向内延伸预定深度；以及基极，形成在第二类型阱中，其中，基极与第一浅沟槽隔离区和第二浅沟槽隔离区相邻。本公开实施例的方案能够实现电流增益Beta的显著提升，并且该与传统CMOS工艺平台兼容。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115763534 A (43)申请公布日 2023.03.07 (21)申请号 202211642810.8 (22)申请日 2022.12.20 (71)申请人 全芯智造技术有限公司 地址 230

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