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本发明公开了一种卤化亚铜晶体的制备方法，特点是采用坩埚下降法生长，具体步骤如下：1）将卤化亚铜原料进行纯化预处理；2）将装有研磨均匀的卤化亚铜原料的石英坩埚进行抽真空操作转移至管式炉中后，将石英坩埚加热到150℃，保温50min后得到无水卤化亚铜，再加热到高于石英坩埚内物料熔点50℃‑100℃后，保温24h后完成预烧结；3）将密封的石英坩埚装入引下管，将引下管放入坩埚下降炉中，加热使石英坩埚内物料熔融，以均匀速度使引下管在坩埚下降炉中下降直至石英坩埚内物料完全凝固成固体，停止下降得到卤化亚铜晶体
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112663132 A
(43)申请公布日 2021.04.16
(21)申请号 202011265567.3
(22)申请日 2020.11.13
(71)申请人 宁波大学
地址 31
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