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- 2023-06-04 发布于四川
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本公开实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，所述制造方法包括：在半导体基底中形成接触孔；在所述接触孔的侧壁和底部沉积第一接触材料，形成第一接触层；对所述第一接触层执行离子注入工艺；其中，所述离子注入工艺包括多次离子注入，每次离子注入中，离子束与所述半导体基底所在平面的垂线成第一预设角度，每次离子注入之后将所述半导体基底绕所述垂线旋转第二预设角度；在所述第一接触层表面沉积填充所述接触孔的第二接触材料，形成第二接触层；对所述半导体基底进行热处理，修复所述第一接触层和所述第二接触层。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116209256 A
(43)申请公布日 2023.06.02
(21)申请号 202310194196.1
(22)申请日 2023.02.27
(71)申请人 长鑫存储技术有限公司
地址 23
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