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半导体器件.pdfVIP

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  • 2023-06-04 发布于四川
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半导体器件.pdf

    半导体器件。本文提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：沟道层；数据存储层，所述数据存储层围绕所述沟道层并且沿着沟道层延伸；层间绝缘层，所述层间绝缘层围绕数据存储层并且沿着沟道层层叠，其中，所述层间绝缘层彼此间隔开，其中，在所述层间绝缘层之间设置导电区域；导电图案，所述导电图案被设置在导电区域中并且围绕数据存储层；缓冲图案，所述缓冲图案被设置在所述层间绝缘层与所述数据存储层之间，并且围绕数据存储层，其中，各个缓冲图案包括致密区域，其中，所述缓冲图案通过导电区域彼此间隔开；以及阻挡绝缘图案，所述

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112701122 A (43)申请公布日 2021.04.23 (21)申请号 202011580043.3 H01L 27/11582 (2017.01)

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