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射频开关的形成方法.pdfVIP

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  • 2023-06-04 发布于四川
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射频开关的形成方法.pdf

    本发明提供了一种射频开关的形成方法，包括：提供第一衬底以及位于第一衬底上的第一氧化层；刻蚀第一氧化层和第一衬底形成第一沟槽，第一沟槽的底壁和侧壁自然氧化形成第二氧化层；在第一氧化层上和第二氧化层上形成第一氮化层，第一氮化层形成第二沟槽；填充第二沟槽，以形成浅沟槽隔离结构；依次去除衬底上的第一氮化层和第一氧化层，以露出第一衬底；在衬底上形成栅极结构、金属层、接触孔和第三氧化层，金属层位于栅极结构的上方，金属层通过接触孔连接到栅极结构的源端和漏端，第三氧化层覆盖栅极结构、金属层和接触孔；提供第二衬底

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116207036 A (43)申请公布日 2023.06.02 (21)申请号 202310182062.8 (22)申请日 2023.02.28 (71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司 地

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