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Micro-LED芯片及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-04 发布于四川
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Micro-LED芯片及其制备方法.pdf

    本发明提供一种Micro‑LED芯片及其制备方法，通过在衬底上生长绝缘层并进行光刻，形成多个沟槽和具有一定倾角的柱状结构，在柱状结构和沟槽上生长外延层，使外延层的侧面形成倒角，研磨抛光柱状结构，直至柱状结构表面与沟槽内的外延层齐平，去除剩余的柱状结构，得到具有隔离槽的外延层，基于具有隔离槽的外延层完成芯片制备。通过形成并利用柱状结构的倾斜度使外延层的侧面形成倒角，无需对外延层进行干法刻蚀，避免外延层侧壁产生损伤，进而提高了基于具有隔离槽的外延层制备的Micro‑LED芯片的发光效率；同时，外延层

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116207198 A (43)申请公布日 2023.06.02 (21)申请号 202310052332.3 (22)申请日 2023.02.02 (71)申请人 厦门乾照光电股份有限公司 地址

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