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- 2023-06-04 发布于四川
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本申请公开了一种半导体器件及用于半导体器件的擦除和验证方法,半导体器件包括多个存储块,多个存储块中的选定存储块包括多个存储单元串,每个存储单元串包括多个存储单元;擦除和验证方法包括:在擦除操作阶段,擦除每个存储单元串中的多个存储单元;在验证操作阶段,包括预导通阶段和验证阶段,多个存储单元串包括选定存储单元串和未选定存储单元串;在预导通阶段,将选定存储单元串和未选定存储单元串中的至少一种设定为沟道导通状态;在验证阶段,对选定存储单元串中的至少一个存储单元的阈值电压进行验证,且将未选定存储单元串设定
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112687317 B
(45)授权公告日 2022.04.29
(21)申请号 202110010734.8 (51)Int.Cl.
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