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一种环栅晶体管及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-06-04 发布于四川
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一种环栅晶体管及其制造方法.pdf

    本发明公开了一种环栅晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域，以通过制造应力源结构的应力源层向沟道区施加应力，提升环栅晶体管的驱动性能。所述环栅晶体管包括：半导体基底、有源结构、栅堆叠结构和应力源结构。半导体基底具有埋氧层。有源结构形成在埋氧层上。有源结构包括源区、漏区、以及位于源区和漏区之间的沟道区。有源结构位于沟道区内的部分的材料为硅、锗硅或锗。栅堆叠结构环绕在沟道区的外周。应力源结构至少设置在沟道区的下方、且位于栅堆叠结构和埋氧层之间。应力源结构的材料为锗硅，且在有源结构位于沟道区内的部分的

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116207154 A (43)申请公布日 2023.06.02 (21)申请号 202310274294.6 (22)申请日 2023.03.17 (71)申请人 中国科学院微电子研究所 地址 1

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