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- 2023-06-04 发布于四川
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本发明涉及MEMS压力传感器及其制作方法技术领域。压力传感器，包括：衬底，衬底为单晶硅晶向(100)晶圆，或者为绝缘体上硅晶向(100)晶圆，包括第一压敏电阻和第二压敏电阻，第一压敏电阻和第二压敏电阻形制和阻值相同，第一压敏电阻和第二压敏电阻构成惠斯通电桥半桥，在衬底的背面与正面分别设有平行排布的第一腔体和第二腔体，第一压敏电阻位于衬底正面正向第一腔体的中心，第二压敏电阻位于衬底背面反向第二腔体的中心。由于压力传感器中的两组敏感单元具有几乎相同的参数与膜上应力分布，此压力传感器输出电压/压力曲线
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116202661 A
(43)申请公布日 2023.06.02
(21)申请号 202310035786.X C23C 16/50 (2006.01)
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