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CMP工艺晶圆定位装置和划痕追踪方法.pdfVIP

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  • 2023-06-04 发布于四川
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CMP工艺晶圆定位装置和划痕追踪方法.pdf

    本发明公开了一种CMP工艺晶圆定位装置，包括：传感器，其用于采集预设信号，其根据预设信号发出旋转信号在CMP工艺装片或下片前使CMP研磨头单元十字转架基座旋转到指定位置。反射件，其作为传感器定位反射点。本发明还公开了一种CMP工艺划痕追踪方法。本发明使晶圆在研磨头上片和下片前，研磨头的wafer检测pin(销)、晶圆缺口(notch)、和机械手呈人为可控的特定角度。对于某些应力较高的wafer产品可以根据其实际情况选择所述特定角度，避免研磨头装卸晶圆时造成破片，避免机械手加持晶圆时造成破片。在C

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112692721 B (45)授权公告日 2022.07.05 (21)申请号 202011535744.5 (56)对比文件

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