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2023-06-04 发布于四川
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一种发光二极管及其制造方法.pdf

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本申请涉及发光二极管领域，具体公开一种发光二极管及其制造方法，该方法包括：提供一衬底；在第一生长温度下，对衬底进行高温处理；对衬底不进行降温处理，且在第一生长温度下在衬底上生长缓冲层；在第二生长温度下，在缓冲层远离衬底的一侧生长第一半导体层；在第三生长温度下，在第一半导体层远离缓冲层的一侧生长有源发光层；在有源发光层远离第一半导体层的一侧生长电子阻挡层；在电子阻挡层远离有源发光层的一侧生长第二半导体层。通过上述方式，缩短了发光二极管的制造周期，降低了生产成本，提高了生产效率。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112670378 A (43)申请公布日 2021.04.16 (21)申请号 202011626521.X (22)申请日 2020.12.31 (71)申请人深圳第三代半导体研究院

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