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2023-06-04 发布于四川
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本申请涉及半导体技术领域，具体公开了一种发光二极管，该发光二极管包括：发光二极管包括：衬底、外延层、第一钝化层、内电极层、第二钝化层以及外电极层，其中第二钝化层上设置有第三开槽和第四开槽，第一外电极区经第三开槽电连接第一内电极区，第二外电极区经第四开槽电连接第二内电极层；其中每个第一外电极区所对应的第三开槽的数量大于或等于2个，且彼此间隔设置。通过上述方式，本申请能够解决现有技术中空洞面积过大所导致的技术问题，提高发光二极管与封装支架焊接后的推拉力水平，提高发光二极管封装产品的机械性能；另一方面

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112670384 A (43)申请公布日 2021.04.16 (21)申请号 202011632797.9 (22)申请日 2020.12.31 (71)申请人深圳第三代半导体研究院

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