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一种氮化镓晶体生长系统的泄放氨工序和生长方法.pdfVIP

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  • 2023-06-04 发布于四川
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一种氮化镓晶体生长系统的泄放氨工序和生长方法.pdf

    本发明公开了一种氮化镓晶体生长系统的泄放氨工序和生长方法，属于氮化镓晶体生产技术领域，泄放氨工序包括以下步骤：S1、反应容器内的液态氨自然挥发形成气态氨气，并排放至尾气处理装置中，直至反应容器内的压强恢复至一个大气压；S2、打开真空装置，反应容器内的剩余气态氨气抽至尾气处理装置中；S3、启动氮供应装置，向反应容器内充入氮气，直至反应容器内压强恢复至一个大气压；S4、重复S2‑S3步骤若干次，真空装置抽出反应容器内的气体，完成泄放氨工序；本发明通过氨气自然排出、抽气、充氮、再抽气、再充氮的循环，将

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112695373 B (45)授权公告日 2021.08.27 (21)申请号 202011455906.4 (56)对比文件

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