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本发明公开了发光二极管外延片及其制备方法,属于发光二极管制作领域。在n型GaN层与多量子阱层之间增加了SiO2调节层,SiO2调节层包括在n型GaN层的表面间隔分布的多个SiO2调节柱,将位于n型GaN层的表面的圆心的SiO2调节柱的高度,均设置为低于位于n型GaN层的表面的边缘的SiO2调节柱的高度,可以促使多量子阱在生长时,多量子阱层在生长时在n型GaN层的表面的圆心附近区域与n型GaN层的表面的边缘附近区域形成生长时间差,由此抵消温度差带来的边缘附近区域与圆心附近区域会形成的厚度差,使得多
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112687776 B
(45)授权公告日 2022.04.12
(21)申请号 202011500153.4 H01L 33/06 (2010.01)
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