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- 2023-06-05 发布于四川
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本发明实施例提供一种半导体装置结构及其形成方法。此半导体装置结构包括位于基板上方的多个半导体纳米结构及两个外延结构。半导体纳米结构的每一个位于两个外延结构之间。此半导体装置结构还包括环绕半导体纳米结构的栅极堆叠结构。此半导体装置结构还包括位于栅极堆叠结构与基板之间的应力结构。外延结构延伸超出应力结构的顶表面。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112750820 A
(43)申请公布日 2021.05.04
(21)申请号 202011162376.4 H01L 29/78 (2006.01)
(22)申请日 2
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