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一种半导体终端结构及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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一种半导体终端结构及其制备方法.pdf

    本发明提供了一种半导体终端结构及其制备方法，所述制备方法包括：在衬底层上生长出外延层；在外延层上生长出具有预设厚度的第一氧化层；刻蚀第一氧化层，以形成沿预设方向呈台阶状分布的多个结终端注入口；通过各结终端注入口注入离子，以在外延层形成多个沿预设方向间隔分布且浓度递减的结终端拓展结构。通过刻蚀第一氧化层，能够形成沿预设方向呈台阶状分布的多个结终端注入口，由于各结终端注入口呈高度依次增大的台阶状分布，使得各结终端注入口在第一氧化层上的深度不同，注入的离子从不同深度的结终端注入口扩散到外延层的深度依次

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112713186 A (43)申请公布日 2021.04.27 (21)申请号 20191

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