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光掩膜版的形成方法及光掩膜版.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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光掩膜版的形成方法及光掩膜版.pdf

    本发明涉及一种光掩膜版的形成方法及光掩膜版。所述光掩膜版的形成方法包括如下步骤：提供基底，所述基底具有芯片区域、以及位于芯片区域相对两侧的第一切割道和第二切割道；于第一切割道中形成第一组标记、并于第二切割道中形成第二组标记，第一组标记包括沿第一切割道的延伸方向交替排布的第一子标记组和第一间隔，第二组标记包括沿第二切割道的延伸方向交替排布的第二子标记组和第二间隔，第一子标记组与第二间隔对准排布、且第二子标记组与第一间隔对准排布。本发明使得在切割道宽度较窄的情况下也能够满足在芯片区域相对两侧的切割道

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112731759 B (45)授权公告日 2023.04.07 (21)申请号 202110141604.8 (56)对比文件 (22)申请日 2021.02.02

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