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利用磁控溅射技术制备BVO外延单晶薄膜的方法.pdfVIP

利用磁控溅射技术制备BVO外延单晶薄膜的方法.pdf

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    本发明属于真空镀膜技术领域，公开了一种利用磁控溅射技术制备BVO外延单晶薄膜的方法，包括以下步骤：a、安装靶材，b、预处理衬底材料，c、制备ITO中间层薄膜，d、制备外延单晶BVO薄膜。本发明通过改变制备薄膜时对靶材施加功率以及氧压的大小首次获得了BVO的外延单晶薄膜，制备方法简单，制备出的薄膜表面平整致密，可进一步用于制备覆盖面积大的外延单晶薄膜；该方法也为用化学计量比靶材通过磁控技术制备出与靶材元素比例相同的金属氧化物提供了可能。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112725750 B (45)授权公告日 2022.02.11 (21)申请号 202011453729.6 C25B 11/091 (2021.01)

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