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本发明公开了一种薄膜沉积工艺腔的腔内沉积薄膜清洁方法,包括:步骤一、进行薄膜沉积工艺,薄膜沉积过程中,工艺气体通过喷淋头均匀分配后进入到薄膜生长区域中,薄膜会同时沉积在工艺腔内侧表面以及喷淋头的下表面;步骤二、进行清洁工艺,包括:提供F‑离子到薄膜生长区域中对工艺腔的内侧表面和所述喷淋头的下表面上沉积的所述薄膜进行清洗去除;清洁工艺过程中,F‑离子会吸附在喷淋头的所述下表面上并形成氟化铝;步骤三、对氟化铝进行氧化形成粘附性比氟化铝更强的氟氧化铝。本发明能降低F‑离子对喷淋头产生的损伤从而能提高喷
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112725762 A
(43)申请公布日 2021.04.30
(21)申请号 202011504255.3
(22)申请日 2020.12.18
(71)申请人 华虹半导体(无锡)有限公司
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