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SGT半导体器件的栅间介质层的制造方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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SGT半导体器件的栅间介质层的制造方法.pdf

    本发明公开了一种SGT半导体器件的栅间介质层的制造方法，包括：步骤一、形成栅极沟槽和底部介质层，底部介质层覆盖在栅极沟槽的内侧表面和外部表面。步骤二、形成屏蔽栅导电材料层并对屏蔽栅导电材料层进行回刻。步骤三、以底部介质层为掩膜在暴露的屏蔽栅导电材料层顶部表面形成所需厚度的第一栅间介质层。步骤四、形成第一掩膜层将第一栅间介质层顶部区域进行保护。步骤五、进行以第一掩膜层为掩膜的第一次刻蚀，第一次刻蚀后位于屏蔽栅导电材料层的顶部表面之上的底部介质层作为第二栅间介质层。步骤六、去除第一掩膜层。步骤七、形

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115763550 A (43)申请公布日 2023.03.07 (21)申请号 202211498734.8 (22)申请日 2022.11.28 (71)申请人 上海华虹宏力半导体

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