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PMOS器件及PMOS器件的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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PMOS器件及PMOS器件的制备方法.pdf

    本公开涉及半导体技术领域，提出了一种PMOS器件及PMOS器件的制备方法，PMOS器件包括衬底、SiGe层、源区、漏区、栅极以及侧壁间隔物，SiGe层设置在衬底上；源区和漏区间隔地设置在SiGe层内；栅极设置在SiGe层上；侧壁间隔物设置在栅极的外侧。本发明的PMOS器件将源区和漏区与SiGe层相结合，且兼容HKMG集成，具有空穴迁移率高，器件工作速度高，频率特性好等优点。其制备方法集成度高，可以低制造成本。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750906 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 20191

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