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碳化硅肖特基二极管及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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碳化硅肖特基二极管及其制备方法.pdf

    本公开提供一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法。该二极管包括：第一导电类型碳化硅衬底、位于衬底上方的第一导电类型漂移层漂移层和位于漂移层上方的超晶格层，所述超晶格层包括多个交替堆叠设置的第一导电类型掺杂层和第二导电类型掺杂层。该二极管还包括位于所述衬底下方并与所述衬底形成欧姆接触的阴极，和位于所述超晶格层上方并与所述超晶格层形成肖特基接触的阳极。本公开通过在SiCSBD阳极端半导体区形成超晶格层，使得在SiCSBD阳极施加负电压，二极管肖特基接触反偏时，超晶格层可以与漂移层形成PN结，通过PN

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112750896 B (45)授权公告日 2022.08.16 (21)申请号 201911063121.X H01L 29/16 (2006.01)

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