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存储元件、半导体装置、磁记录阵列和存储元件的制造方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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存储元件、半导体装置、磁记录阵列和存储元件的制造方法.pdf

    本发明的存储元件具有：第1铁磁性层；第2铁磁性层；非磁性层，其在第1方向上被所述第1铁磁性层和所述第2铁磁性层夹持；第1配线，其沿与所述第1方向不同的第2方向延伸，在所述第1方向上与所述非磁性层夹持所述第1铁磁性层；和电极，其在所述第1方向上由至少一部分与所述非磁性层夹持所述第2铁磁性层，所述电极与所述第2铁磁性层的侧面的至少一部分相接。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112753099 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 201980062719.9 (51)Int.Cl.

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