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双频硅烷基二氧化硅沉积以最小化膜的不稳定性.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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双频硅烷基二氧化硅沉积以最小化膜的不稳定性.pdf

    一种用于使用双频工艺执行等离子体增强化学气相沉积(PECVD)以在衬底上沉积基于硅烷的氧化物膜的方法包括：将所述衬底布置在被配置为执行PECVD的处理室中的衬底支撑件上；并且将PECVD处理气体供应到处理室中。所述处理气体包括包含硅的第一处理气体和包含氧化剂的第二处理气体。所述方法还包括在将所述PECVD处理气体供应到所述处理室中的同时，在所述处理室中产生双频等离子体，以通过以下方式在所述衬底上沉积基于硅烷的氧化物膜：向所述处理室供应第一射频(RF)电压，以及向所述处理室供应第二RF电压。以第一

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112753091 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 201980062763.X (74)专利代理机构 上海胜康律师事务所 31263

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