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一种大功率半导体光放大器增益介质的制备方法，包括：提供基板；在所述基板上依次生长缓冲层、n电极层、下限制层、有源层和上限制层、p电极层；沉积p型金属制作p型电极；制作增益介质串联图形；刻蚀制作脊波导结构至n电极层，形成增益介质；沉积n型金属制作电极。为了更好地控制光场采用深刻蚀工艺，刻蚀波导结构时贯穿有源区(层)，如刻蚀贯穿上限制层和有源层，刻蚀至部分下限制层。其中，分子束外延是外延制膜方法，是在适当的衬底与合适的条件下，沿衬底材料晶轴方向逐层生长薄膜的方法。使用的衬底温度低，膜层生长速率慢，束
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112736645 B
(45)授权公告日 2022.04.29
(21)申请号 202011643871.7 H01S 5/50 (2006.01)
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