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- 2023-06-05 发布于四川
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本发明涉及宽禁带功率电子器件技术领域，具体为一种具有浮岛结构的沟槽型垂直氮化镓功率器件，包括Body电极和外壳体，所述外壳体的顶端设置有沟槽，所述沟槽的内侧壁固定连接栅金属，所述栅金属的内侧设置有栅介质，所述外壳体的内腔自下而上晶片结构依次设置N+衬底、N型漂移区、P型层和N+掺杂层，所述P型层与N+掺杂层对称设置有两组，所述N型漂移区的内侧对称设置P型浮岛，所述外壳体的顶侧两端对称固定连接源漏电极，本发明实现在N型漂移区引入两个对称P型浮岛，有利于避免沟槽底部拐角处栅介质处的电场聚集效应，电场
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112750890 A
(43)申请公布日
2021.05.04
(21)申请号 20191
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