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用于形成堆叠层的方法及其形成的器件.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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用于形成堆叠层的方法及其形成的器件.pdf

    本公开涉及用于形成堆叠层的方法及其形成的器件。一种方法包括：蚀刻半导体衬底以形成沟槽，其中，所述半导体衬底包括朝向所述沟槽的侧壁；以及沉积延伸至所述沟槽中的第一半导体层。所述第一半导体层包括位于所述沟槽的底部处的第一底部部分和位于所述半导体衬底的所述侧壁上的第一侧壁部分。去除所述第一侧壁部分以显露所述半导体衬底的所述侧壁。所述方法还包括：沉积延伸至所述沟槽中的第二半导体层，其中，所述第二半导体层包括位于所述第一底部部分之上的第二底部部分和与所述半导体衬底的所述侧壁接触的第二侧壁部分。去除所述第二

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750769 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 202011169467.0 (22)申请日 2020.10.28 (30)优先权数据 62/927,54

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