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衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质.pdf

    本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质，提供能够使成膜处理开始时的炉内状况稳定化的技术。具有调整处理炉内的处理环境的前处理工序、处理衬底的成膜工序以及后处理工序的技术，在前处理工序的第一步骤中，判定是否执行对构成装置的部件进行维护的保养制程程序。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750720 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 202011018794.6 (22)申请日 2020.09.24 (30)优先权数据 2019-1980

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