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- 2023-06-05 发布于四川
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一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上方沉积第一介电层；在第一介电层上方沉积第一电极层；蚀刻第一电极层，以形成第一电极，和与第一电极横向地分隔开的第二电极；在第一电极和第二电极上沉积自旋轨道转矩(SOT)材料；在SOT材料上沉积磁隧道结(MTJ)层；在MTJ层上沉积第二电极层；蚀刻SOT材料，以形成从第一电极至第二电极延伸的SOT层；蚀刻MTJ层，以在SOT层上形成MTJ堆叠件；以及蚀刻第二电极层，以在MTJ堆叠件上形成顶部电极。本申请的实施例另一方面提供一种半导体器件。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112750856 A
(43)申请公布日 2021.05.04
(21)申请号 202011175899.2
(22)申请日 2020.10.29
(30)优先权数据
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